- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IS66WV51216DBLL-70BLI-TR
8Mb低电压超低功耗伪CMOS静态RAM
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS66WV51216DBLL-70BLI-TR
- 商品编号
- C20597117
- 商品封装
- 48-miniBGA (6x8)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 工作电压 | 2.5V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 70ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 130uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
- IS66WV51216DBLL-55BLI-TR
- GTCL030-16S-8P-LC
- FCQ38999/26JJ90SDMIL-STD-461
- FCQ38999/20SJ61SCMIL-STD-461
- RCS1H-6V
- FCQ38999/26KB2AEMIL-STD-461
- GTC01-16-13PZ-023-B30-LC
- GTC030R24-AJPW-B30-LC
- ACC05E16S-17P-003-LC
- ACC06AF16-7R-003-LC
- ACC04A24-21SW-025-B30-LC
- FCQ38999/24SJ43PCMIL-STD-461
- GTC00-28-17PZ-LC
- B1135AS-330M=P3
- 1-1879011-7
- FCQ38999/20JD5BDMIL-STD-461
- FCQ38999/26KJ20SDMIL-STD-461
- FCQ38999/24JJ19SAMIL-STD-461
- WRSP2A9M9
- FKP3F011002B00JD00
- FCQ38999/20JG11SNMIL-STD-461