- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IS62WV6416ALL-55BI-TR
64K x 16 低电压超低功耗CMOS静态RAM
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS62WV6416ALL-55BI-TR
- 商品编号
- C20597941
- 商品封装
- 48-miniBGA (6x8)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 1Mbit | |
| 工作电压 | 1.7V~2.2V | |
| 读写时间 | 55ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 10mA | |
| 待机电流 | 10uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
- IS66WV51216DBLL-55BLI
- ACUCT-125R-300:333
- FCQ38999/23YD97PAMIL-STD-461
- GTC08-16S-4S-LC
- FCQ38999/20GA35PBMIL-STD-461
- GTC08-32-15SW-025-B30-LC
- C0603X6S1C472M030BA
- FCQ38999/20WH21SBMIL-STD-461
- GTCL030-22-19PW-025-LC
- FCQ38999/20GH35SAMIL-STD-461
- GTC030LCF32-68SZ-025-RDS-LC
- CD050M100D06PE50V00A
- FCQ38999/24ZD5SCMIL-STD-461
- YQ7M372800S40S
- XC-09-212-Q
- GTC01RV20-57P-B30-LC
- 1-6450150-8
- 1393827-3
- 180367-2
- UB-19-230-Q(F)
- B1179BS-3R8N=P3