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AS4C256M16D3A-12BANTR

4Gb DDR3同步动态随机存取存储器

品牌名称: micron(镁光)
商品型号: AS4C256M16D3A-12BANTR
商品编号: C20590601
商品封装: FBGA-96(8x13)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	同步动态随机存取内存(SDRAM)
	存储容量	4Gbit
	时钟频率(fc)	800MHz

	属性	参数值
	工作电压	1.425V~1.575V
	功能特性	自动预充电；自动刷新；高速时钟同步
	工作温度	-40℃~+105℃

商品概述

4Gb DDR3 DRAM采用双倍数据速率架构以实现高速运行，内部配置为八组DRAM。该4Gb芯片被组织为32Mbit x 16个I/O x 8组设备。这些同步设备在一般应用中可实现高达1866 Mb/秒/引脚的高速双倍数据速率传输。芯片设计符合所有关键DDR3 DRAM特性，所有控制和地址输入与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK上升和CK#下降）锁存。所有I/O以源同步方式与差分DQS对同步。这些设备使用单一1.5V ± 0.075V电源供电，采用BGA封装。

商品特性

符合JEDEC标准
电源：VDD和VDDQ = +1.5V ± 0.075V
汽车级温度范围：-40 ~ 105°C（TC）
符合AEC - Q100标准
支持JEDEC时钟抖动规范
完全同步操作
快速时钟速率：800MHz
差分时钟，CK和CK#
双向差分数据选通 - DQS和DQS#
8个内部组用于并发操作
8n位预取架构
流水线内部架构
预充电和主动掉电
可编程模式和扩展模式寄存器
附加延迟（AL）：0、CL - 1、CL - 2
可编程突发长度：4、8
突发类型：顺序/交错
输出驱动器阻抗控制
8192次刷新周期 / 64ms - 平均刷新周期
-40°C ≤ TC ≤ +85°C时为7.8μs
+85°C < TC ≤ +105°C时为3.9μs
写电平校准
ZQ校准
动态ODT（Rtt_Nom和Rtt_WR）
符合RoHS标准
自动刷新和自刷新
96球9×13×1.0mm FBGA封装 - 无铅和无卤

数据手册PDF

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