AS4C64M16D3LA-12BANTR

1Gb双数据速率3（DDR3L）DRAM

品牌名称: micron(镁光)
商品型号: AS4C64M16D3LA-12BANTR
商品编号: C20591262
商品封装: 96-FBGA (8x13)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	同步动态随机存取内存(SDRAM)
	存储容量	1Gbit
	时钟频率(fc)	800MHz

	属性	参数值
	工作电压	1.283V~1.45V
	功能特性	自动预充电；自动刷新；高速时钟同步
	工作温度	-40℃~+105℃

商品概述

1Gb双倍数据速率3（DDR3L）DRAM采用双倍数据速率架构以实现高速操作。它内部配置为八组DRAM。该1Gb芯片组织为8Mbit x 16输入输出 x 8组器件。这些同步器件可实现高达每秒1600兆比特每引脚的双倍数据速率传输速率，适用于通用应用。该芯片设计符合所有关键DDR3L DRAM特性，所有控制和地址输入均与外部提供的一对差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK上升和CK#下降）锁存。所有输入输出通过差分数据选通对以源同步方式同步。这些器件采用单电源1.35V负0.067V正0.1V供电，并提供球栅阵列封装。

商品特性

符合JEDEC标准
电源：VDD和VDDQ等于正1.35V
向后兼容VDD和VDDQ等于1.5V正负0.075V
汽车温度范围：负40至105摄氏度（TC）
符合AEC-Q100标准
支持JEDEC时钟抖动规范
完全同步操作
快速时钟速率：800兆赫兹
差分时钟，CK和CK#
双向差分数据选通 - DQS和DQS#
8个内部组用于并发操作
8n位预取架构
流水线内部架构
预充电和活动省电模式
可编程模式和扩展模式寄存器
附加延迟（AL）：0，CL减1，CL减2
可编程突发长度：4，8
突发类型：顺序或交错
输出驱动器阻抗控制
8192刷新周期每64毫秒
平均刷新周期：在负40摄氏度小于等于TC小于等于正85摄氏度时为7.8微秒，在正85摄氏度小于TC小于等于正105摄氏度时为3.9微秒
写入均衡
ZQ校准
动态片上终端（Rtt_Nom和Rtt_WR）
符合RoHS标准
自动刷新和自刷新
96球8乘13乘1.0毫米细间距球栅阵列封装
无铅和无卤素

数据手册PDF

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