AS4C64M16D3L-12BANTR

1Gb 双数据速率 3（DDR3L）DRAM

品牌名称: micron(镁光)
商品型号: AS4C64M16D3L-12BANTR
商品编号: C20589257
商品封装: 96-FBGA (8x13)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	同步动态随机存取内存(SDRAM)

	属性	参数值
	功能特性	自动预充电；自动刷新；高速时钟同步

商品概述

1Gb双数据速率3（DDR3L）DRAM采用双数据速率架构以实现高速运行。它内部配置为八存储体DRAM。1Gb芯片被组织为8Mbit x 16个I/O x 8存储体设备。这些同步设备在一般应用中可实现高达1600 Mb/秒/引脚的高速双数据速率传输。该芯片设计符合所有关键的DDR3L DRAM特性，所有控制和地址输入与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK上升和CK#下降）锁存。所有I/O以源同步方式与差分DQS对同步。这些设备使用单一的1.35V -0.067V / +0.1V电源供电，并提供BGA封装。

商品特性

符合JEDEC标准
电源：VDD和VDDQ = +1.35V
向后兼容VDD和VDDQ = 1.5V ± 0.075V
汽车级温度范围：-40 ~ 105°C（TC）
符合AEC - Q100标准
支持JEDEC时钟抖动规范
全同步操作
快速时钟速率：800MHz
差分时钟，CK和CK#
双向差分数据选通 - DQS和DQS#
8个内部存储体用于并发操作
8n位预取架构
流水线内部架构
预充电和主动掉电
可编程模式和扩展模式寄存器
附加延迟（AL）：0、CL - 1、CL - 2
可编程突发长度：4、8
突发类型：顺序/交错
输出驱动器阻抗控制
每64ms 8192个刷新周期
平均刷新周期：7.8μs（-40°C ≤ TC ≤ +85°C）；3.9μs（+85°C < TC ≤ +105°C）
写电平调整
ZQ校准
动态ODT（Rtt_Nom和Rtt_WR）
符合RoHS标准
自动刷新和自刷新
96球8×13×1.0mm FBGA封装
无铅和无卤素

应用领域

一般应用

数据手册PDF

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