IS42S16320B-6BLI-TR

ISSI的512Mb同步动态随机存取存储器（SDRAM）采用流水线架构实现高速数据传输。所有输入和输出信号都参考时钟输入的上升沿。该512Mb SDRAM内部配置为具有同步接口的四存储体DRAM，包含536,870,912位。每个134,217,728位的存储体组织为8,192行×1024列×16位，x8的每个134,217,728位存储体组织为8,192行×2048列×8位。它包括自动刷新模式和节能掉电模式，所有信号在时钟信号CLK的正沿进行寄存，所有输入和输出与LVTTL兼容。该SDRAM能够以高数据速率同步突发传输数据，具有自动列地址生成功能，可在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间，并能在突发访问期间的每个时钟周期随机更改列地址。启用自动预充电功能时，在突发序列结束时会启动自定时行预充电。对一个存储体进行预充电的同时访问其他三个存储体之一，可隐藏预充电周期，实现无缝、高速、随机访问操作。SDRAM的读写访问是面向突发的，从选定位置开始，并按编程序列连续访问编程数量的位置。

• 时钟频率：166、143、133 MHz
• 完全同步；所有信号参考正时钟沿
• 内部存储体用于隐藏行访问/预充电
• 电源：LVTTL接口
• 可编程突发长度 - （1、2、4、8、整页）
• 可编程突发序列：顺序/交错
• 自动刷新（CBR）
• 自刷新
• 每16ms（A2级）或64ms（商用、工业、A1级）进行8K刷新周期
• 每个时钟周期随机列地址
• 可编程CAS延迟（2、3个时钟）
• 突发读/写和突发读/单写操作能力
• 通过突发停止和预充电命令终止突发
• 有54引脚TSOP - II和54球W - BGA（仅x16）封装
• 工作温度范围：商用：0°C至+70°C；工业：-40°C至+85°C；汽车，A1：-40°C至+85°C；汽车，A2：-40°C至+105°C