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IS43LD16640A-25BLI实物图
  • IS43LD16640A-25BLI商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IS43LD16640A-25BLI

1Gb 移动型 LPDDR2 S4 SDRAM

品牌名称
ISSI(美国芯成)
商品型号
IS43LD16640A-25BLI
商品编号
C20576892
商品封装
134-TFBGA (10x11.5)​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录同步动态随机存取内存(SDRAM)
属性参数值
功能特性自动预充电;自动重置;自动刷新;高速时钟同步

商品概述

IS43/46LD16640A/32320A是一款1,073,741,824位的CMOS移动双倍数据速率同步DRAM,组织为8个存储体(S4)。该器件可组织为8个存储体,每个存储体包含800万个16位字或400万个32位字。此产品采用双倍数据速率架构以实现高速运行。双倍数据速率架构本质上是一种4N预取架构,其接口设计为在I/O引脚每个时钟周期传输两个数据字。该产品提供完全同步操作,参考时钟的上升沿和下降沿。数据路径内部采用流水线设计,并进行4n位预取以实现非常高的带宽。

商品特性

  • 低压核心和I/O电源:VDD2 = 1.14 - 1.30V,VDDCA/VDDQ = 1.14 - 1.30V,VDD1 = 1.70 - 1.95V;高速未端接逻辑(HSUL_12)I/O接口
  • 时钟频率范围:10MHz至400MHz(数据速率范围:每个I/O为20Mbps至800Mbps)
  • 四位预取DDR架构
  • 复用、双倍数据速率、命令/地址输入;八个内部存储体用于并发操作
  • 每个数据字节的双向/差分数据选通(DQS/DQS#)
  • 可编程读写延迟(RL/WL)和突发长度(4、8或16);每个存储体刷新用于并发操作
  • ZQ校准
  • 片上温度传感器用于控制自刷新速率
  • 部分阵列自刷新(PASR) - 存储体和段屏蔽
  • 深度掉电模式(DPD)
  • 工作温度:商业级(Tc = 0°C至85°C)、工业级(Tc = -40°C至85°C)、汽车级A1(Tc = -40°C至85°C)、汽车级A2(Tc = -40°C至105°C)

数据手册PDF