IS43LD16640A-25BLI
1Gb 移动型 LPDDR2 S4 SDRAM
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS43LD16640A-25BLI
- 商品编号
- C20576892
- 商品封装
- 134-TFBGA (10x11.5)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动预充电;自动重置;自动刷新;高速时钟同步 |
商品概述
IS43/46LD16640A/32320A是一款1,073,741,824位的CMOS移动双倍数据速率同步DRAM,组织为8个存储体(S4)。该器件可组织为8个存储体,每个存储体包含800万个16位字或400万个32位字。此产品采用双倍数据速率架构以实现高速运行。双倍数据速率架构本质上是一种4N预取架构,其接口设计为在I/O引脚每个时钟周期传输两个数据字。该产品提供完全同步操作,参考时钟的上升沿和下降沿。数据路径内部采用流水线设计,并进行4n位预取以实现非常高的带宽。
商品特性
- 低压核心和I/O电源:VDD2 = 1.14 - 1.30V,VDDCA/VDDQ = 1.14 - 1.30V,VDD1 = 1.70 - 1.95V;高速未端接逻辑(HSUL_12)I/O接口
- 时钟频率范围:10MHz至400MHz(数据速率范围:每个I/O为20Mbps至800Mbps)
- 四位预取DDR架构
- 复用、双倍数据速率、命令/地址输入;八个内部存储体用于并发操作
- 每个数据字节的双向/差分数据选通(DQS/DQS#)
- 可编程读写延迟(RL/WL)和突发长度(4、8或16);每个存储体刷新用于并发操作
- ZQ校准
- 片上温度传感器用于控制自刷新速率
- 部分阵列自刷新(PASR) - 存储体和段屏蔽
- 深度掉电模式(DPD)
- 工作温度:商业级(Tc = 0°C至85°C)、工业级(Tc = -40°C至85°C)、汽车级A1(Tc = -40°C至85°C)、汽车级A2(Tc = -40°C至105°C)
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