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TP65H300G4JSGB-TR

品牌名称: Transphorm
商品型号: TP65H300G4JSGB-TR
商品编号: C20570059
商品封装: PQFN-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.188克(g)

商品参数

商品概述

TP65H300G4JSGB 650V、240mΩ 氮化镓 (GaN) FET 是一款采用 Transphorm 第四代平台的常开型器件。它将先进的高压 GaN HEMT 与低压硅 MOSFET 相结合，提供卓越的可靠性和性能。第四代 SuperGaN® 平台采用先进的外延和专利设计技术，简化了制造工艺，同时通过降低栅极电荷、输出电容、交越损耗和反向恢复电荷，提高了相对于硅器件的效率。

商品特性

第四代技术
符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
动态 RDS(on)eff 生产测试
稳健设计，体现在
- 宽栅极安全裕量
- 瞬态过压能力
极低的 QRR
降低的交越损耗
符合 RoHS 标准且无卤素封装

应用领域

-消费类-电源适配器-低功率开关电源-照明

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	9.2A
	导通电阻(RDS(on))	312mΩ@6V
	耗散功率(Pd)	41.6W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.8V@0.5mA
	栅极电荷量(Qg)	3.5nC@10V
	反向传输电容(Crss)	0.8pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	输出电容(Coss)	16pF