TP65H150BG4JSG-TR
TP65H150BG4JSG-TR
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- 品牌名称
- Transphorm
- 商品型号
- TP65H150BG4JSG-TR
- 商品编号
- C20568268
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 37pF |
商品概述
TP65H150BG4JSG 650V、150mΩ氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)是一款使用Transphorm第四代平台的常开型器件。它将先进的高压GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)与低压硅MOSFET相结合,提供卓越的可靠性和性能。 第四代SuperGaN平台采用先进的外延和专利设计技术,简化了制造工艺,同时通过降低栅极电荷、输出电容、交越损耗和反向恢复电荷,提高了相对于硅器件的效率。
商品特性
- 第四代技术
- 符合JEDEC标准的GaN技术
- 动态导通电阻(RDS(on)eff)生产测试
- 稳健设计,体现在
- 宽栅极安全裕量
- 瞬态过压能力
- 极低的反向恢复电荷(QRR)
- 降低的交越损耗
- 符合RoHS标准且无卤封装
应用领域
-消费类-电源适配器-低功率开关电源(SMPS)-照明