TP65H480G4JSGB-TR

TP65H480G4JSGB 650V、480mΩ氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)是一款采用Transphorm第四代平台的常关型器件。它将先进的高压GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)与低压硅MOSFET相结合,提供卓越的可靠性和性能。 第四代SuperGaN平台采用先进的外延和专利设计技术,简化了可制造性,同时通过降低栅极电荷、输出电容、交越损耗和反向恢复电荷,提高了相对于硅器件的效率。

• 第四代技术
• 符合JEDEC标准的GaN技术
• 动态RDS(on)eff生产测试
• 稳健设计,具体表现为
  • 宽栅极安全裕量
  • 瞬态过压能力
• 极低的反向恢复电荷(QRR)
• 降低的交越损耗
• 符合RoHS标准且无卤封装

-消费类-电源适配器-低功率开关电源(SMPS)-照明