MT45W1MW16BDGB-708 AT TR

Name: micron(镁光) MT45W1MW16BDGB-708 AT TR
Brand: micron(镁光)
SKU: C20561100
Price: 20.38 CNY
Availability: OutOfStock

16Mb 1 Meg x 16 异步/页/突发 CellularRAM 1.0 内存

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商品参数

参数完善中

单器件支持异步、页面和突发操作
随机访问时间：70ns
VCC、VCCQ电压：
- 1.7 - 1.95V VCC
- 1.7 - 3.6V VccQ
页面模式读取访问：
- 16字页面大小
- 页间读取访问：70ns
- 页内读取访问：20ns
突发模式写入访问：连续突发
突发模式读取访问：
- 4、8或16字，或连续突发
- 最大时钟速率：104MHz（tCLK = 9.62ns）
- 突发初始延迟：39ns（4个时钟）@ 104MHz
- tACLK：7ns @ 104MHz
低功耗：
- 异步读取：<20mA
- 页内读取：<15mA
- 页内读取初始访问、突发读取：（39ns [4个时钟] @ 104MHz）< 35mA
- 连续突发读取：<28mA
- 待机：70μA
- 深度掉电：< 10μA（典型值@ 25°C）
低功耗特性：
- 温度补偿刷新（TCR）
- 片上温度传感器
- 部分阵列刷新（PAR）
- 深度掉电（DPD）模式