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MT45W2MW16BGB-701 IT引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MT45W2MW16BGB-701 IT

32Mb 2Meg x 16 异步/页/突发 CellularRAM 内存

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私有库下单最高享92折
品牌名称
micron(镁光)
商品型号
MT45W2MW16BGB-701 IT
商品编号
C20563541
商品封装
54-VFBGA (6x8)​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录随机存取存储器(RAM)
存储容量32Mbit
属性参数值
工作电压1.7V~1.95V
工作温度-40℃~+85℃

商品特性

  • 单设备支持异步、页面和突发操作
  • 随机访问时间:70ns
  • Vcc、VccQ电压:
    • Vcc为1.7 - 1.95V
    • VccQ为1.7 - 3.6V
  • 页面模式读取访问:
    • 页面大小为16字
    • 页间读取访问时间:70ns
    • 页内读取访问时间:20ns
  • 突发模式写入访问:连续突发
  • 突发模式读取访问:
    • 4、8或16字或连续突发
    • 最大时钟频率:104MHz(tCLK = 9.62ns)
    • 突发初始延迟:在104MHz时为38.5ns(4个时钟周期)
    • 在104MHz时tCLK为7ns
  • 低功耗:
    • 异步读取:<20mA
    • 页内读取:<15mA
    • 页内读取初始访问、突发读取(在104MHz时38.5ns [4个时钟周期]):<40mA
    • 连续突发读取:<25mA
    • 待机:<110μA
    • 深度掉电:<10μA(25°C时典型值)
  • 低功耗特性:
    • 温度补偿刷新(TCR)
    • 片上温度传感器
    • 部分阵列刷新(PAR)
    • 深度掉电(DPD)模式
  • 待机功耗选项:标准、低功耗
  • 工作温度范围:
    • 无线应用(-30°C至+85°C)
    • 工业应用(-40°C至+85°C)

数据手册PDF