MT45W2MW16BGB-701 IT
32Mb 2Meg x 16 异步/页/突发 CellularRAM 内存
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT45W2MW16BGB-701 IT
- 商品编号
- C20563541
- 商品封装
- 54-VFBGA (6x8)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 随机存取存储器(RAM) | |
| 存储容量 | 32Mbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.7V~1.95V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品特性
- 单设备支持异步、页面和突发操作
- 随机访问时间:70ns
- Vcc、VccQ电压:
- Vcc为1.7 - 1.95V
- VccQ为1.7 - 3.6V
- 页面模式读取访问:
- 页面大小为16字
- 页间读取访问时间:70ns
- 页内读取访问时间:20ns
- 突发模式写入访问:连续突发
- 突发模式读取访问:
- 4、8或16字或连续突发
- 最大时钟频率:104MHz(tCLK = 9.62ns)
- 突发初始延迟:在104MHz时为38.5ns(4个时钟周期)
- 在104MHz时tCLK为7ns
- 低功耗:
- 异步读取:<20mA
- 页内读取:<15mA
- 页内读取初始访问、突发读取(在104MHz时38.5ns [4个时钟周期]):<40mA
- 连续突发读取:<25mA
- 待机:<110μA
- 深度掉电:<10μA(25°C时典型值)
- 低功耗特性:
- 温度补偿刷新(TCR)
- 片上温度传感器
- 部分阵列刷新(PAR)
- 深度掉电(DPD)模式
- 待机功耗选项:标准、低功耗
- 工作温度范围:
- 无线应用(-30°C至+85°C)
- 工业应用(-40°C至+85°C)
- 532T26005ITT
- FCQ38999/23YJ90PEMIL-STD-461
- W9751G6KB25I TR
- MMSZ5251C-HE3_A-08
- FCQ38999/26KC98SBMIL-STD-461
- 71342LA55J8
- BZT52B11-HE3_A-08
- BZT52B18-HE3_A-08
- FCQ38999/26LE6BCMIL-STD-461
- GA10K3A1185I
- 71321LA45J
- ERD-S2TJ181V
- FCQ38999/26TJ29PEMIL-STD-461
- 2-2400680-4
- A/CO2-R2SO-20K-A22-G5
- GTC030RV24-28SZ-025-B30-LC
- ECJ-1VB1C104K
- MMSZ5263C-HE3_A-08
- MMSZ4712-HE3_A-18
- MMSZ5234B-HE3_A-08
- GTC06A32-15S-RDS-LC

