M68AW512ML70ND6
8Mbit 3.0V 异步 SRAM
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- M68AW512ML70ND6
- 商品编号
- C20548250
- 商品封装
- 44-TSOP II
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 读写时间 | 70ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 35mA | |
| 待机电流 | 20uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
M68AW512M是一款8Mbit(8388608位)CMOS SRAM,组织为524288字×16位。该器件采用全静态操作,无需外部时钟或定时选通信号,地址访问时间和周期时间相等。它采用2.7至3.6V单电源供电,具有自动掉电功能,在未选中时功耗降低超过99%。该器件提供TSOP44 Type II封装。
商品特性
- 电源电压:2.7至3.6V
- 512K×16位SRAM,带输出使能
- 相等的周期时间和访问时间:55ns
- 单字节读写功能
- 低待机电流
- 低Vcc数据保持电压:1.5V
- 三态公共I/O
- 自动掉电功能
- 芯片使能掉电特性:当芯片使能无效或LB和UB无效时进入自动待机模式
- 输出使能信号提供高速三态控制,支持通过公共I/O数据总线实现快速读写周期
- 操作模式由控制输入W、E、LB和UB决定
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- FCQ38999/25NH35PNMIL-STD-461
- R-8702-39
- 2220JA300123JJRS3X
- 7-1625890-5
- AMC0802DR-B-Y6WFDY


