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M68AW512ML70ND6引脚图
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M68AW512ML70ND6

8Mbit 3.0V 异步 SRAM

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商品型号
M68AW512ML70ND6
商品编号
C20548250
商品封装
44-TSOP II​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量8Mbit
工作电压2.7V~3.6V
读写时间70ns
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流35mA
待机电流20uA
功能特性自动掉电功能

商品概述

M68AW512M是一款8Mbit(8388608位)CMOS SRAM,组织为524288字×16位。该器件采用全静态操作,无需外部时钟或定时选通信号,地址访问时间和周期时间相等。它采用2.7至3.6V单电源供电,具有自动掉电功能,在未选中时功耗降低超过99%。该器件提供TSOP44 Type II封装。

商品特性

  • 电源电压:2.7至3.6V
  • 512K×16位SRAM,带输出使能
  • 相等的周期时间和访问时间:55ns
  • 单字节读写功能
  • 低待机电流
  • 低Vcc数据保持电压:1.5V
  • 三态公共I/O
  • 自动掉电功能
  • 芯片使能掉电特性:当芯片使能无效或LB和UB无效时进入自动待机模式
  • 输出使能信号提供高速三态控制,支持通过公共I/O数据总线实现快速读写周期
  • 操作模式由控制输入W、E、LB和UB决定

数据手册PDF