M68AW256ML70ND6T

4 Mbit 3.0V 异步 SRAM

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品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M68AW256ML70ND6T
商品编号: C20548707
商品封装: TSOPII-44
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

M68AW256M是一款4Mbit（4194304位）CMOS SRAM，组织形式为262144字×16位。该器件采用全静态操作，无需外部时钟或定时选通信号，地址访问时间与周期时间相等。它需要单一2.7至3.6V电源供电，具有自动掉电功能，在未选中时功耗降低超过99。该器件提供TFBGA48（6×8mm和7×8mm，0.75mm引脚间距）和TSOP44 Type II封装，除标准版本外，还有符合JEDEC J-STD-020B规范、ST ECOPACK 7191395规范及RoHS指令的无铅版本，所有封装均兼容无铅焊接工艺。

商品特性

电源电压范围2.7至3.6V
256K×16位SRAM，带输出使能
周期时间与访问时间相等（55ns、70ns）
支持单字节读写
低待机电流
低Vcc数据保持电压1.5V
三态公共I/O接口
自动掉电功能
提供TSOP44 Type II、TFBGA48（6×8mm、7×8mm，0.75mm引脚间距）封装
兼容无铅焊接工艺，提供标准或无铅版本
全静态操作，无需外部时钟或定时选通信号
支持输出禁用、读、写、待机/掉电四种操作模式
通过控制输入E、W、G、LB、UB实现不同操作模式

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	4Mbit
	工作电压	2.7V~3.6V
	读写时间	70ns

	属性	参数值
	工作温度	-40℃~+85℃
	工作电流	20mA
	待机电流	20uA
	功能特性	自动掉电功能