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2SB1260-R
PNP 电压:80V
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- 描述
- 特性：高击穿电压和高电流，BVCEO = -80V，IC = -1A。 良好的hFEV线性。 低VCE(sat)。 与2SD1898互补。应用：外延平面型PNP硅晶体管
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- 2SB1260-R
- 商品编号
- C20539668
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.165克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 2A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 390 | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP |