商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 16pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.3pF | |
| 工作温度 | -40℃~+80℃ |
商品概述
CGHV40050是一款非匹配氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。CGHV40050采用50伏电源轨供电，为高达4 GHz的各种射频和微波应用提供通用宽带解决方案。数据手册中的参考功率放大器（HPA）设计可在800 MHz至2 GHz频段实现瞬时工作。它是一款演示放大器，用于展示CGHV40050的高效率、高增益和宽带宽能力。该器件可用于窄带超高频（UHF）、L和S波段，以及高达4 GHz的多倍频程带宽放大器等一系列应用。该晶体管采用2引脚法兰和药丸封装。
商品特性
- 高达4 GHz的工作频率
- 典型输出功率77 W
- 在1.8 GHz时小信号增益为17.5 dB
- 适用于0.8 - 2.0 GHz的应用电路
- 在饱和功率(P\textSAT)下效率达53%
- 50 V工作电压
- 提供适用于ADS和MWO的大信号模型
- 符合RoHS标准
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