商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 16pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.3pF | |
| 工作温度 | -40℃~+80℃ |
商品概述
CGHV40050是一款无匹配的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。该器件采用50伏电源轨供电,可为高达4 GHz的各种射频和微波应用提供通用宽带解决方案。数据手册中的参考功率放大器(HPA)设计可在800 MHz至2 GHz频率范围内实现瞬时工作。这是一款演示放大器,用于展示CGHV40050的高效率、高增益和宽带宽能力。该器件可用于窄带超高频(UHF)、L和S波段应用,以及高达4 GHz的多倍频程带宽放大器。该晶体管采用2引脚法兰和药丸封装。
商品特性
- 高达4 GHz的工作频率
- 典型输出功率77 W
- 在1.8 GHz时小信号增益为17.5 dB
- 适用于0.8 - 2.0 GHz的应用电路
- 在饱和功率(P\textSAT)下效率达53%
- 50 V工作电压
- 提供适用于ADS和MWO的大信号模型
- 符合RoHS标准
- FCQ38999/26TJ11PBMIL-STD-461
- GQM1885C1H270JB01D
- GTC030R16SA19P-LC
- ABFT-L
- A70P25-1
- FCQ38999/24GJ20PEMIL-STD-461
- FCQ38999/26SH53SEMIL-STD-461
- CGH40045F
- 2356607-1
- A/100-2W-O-BB
- FCQ38999/20MB35PAMIL-STD-461
- FCQ38999/24GJ8BAMIL-STD-461
- GTCL06R28-12S-025-B30-LC
- FCQ38999/26FD5PDMIL-STD-461
- FCQ38999/20MJ35JBMIL-STD-461
- H10491000PA
- FCQ38999/26JH55HNMIL-STD-461
- GTC030A32-15SZ-LC
- A/20K-RS-A14-D3
- GTC06A20-3SZ-023-RDS-LC
- FCQ38999/24TG11SEMIL-STD-461

