商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 29.3pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.61pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 7.3pF |
商品概述
CGHV40100是一款无匹配的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。CGHV40100采用50伏电源轨供电，为各种射频和微波应用提供了通用的宽带解决方案。GaN HEMT具有高效率、高增益和宽带宽能力，使CGHV40100非常适合线性和压缩放大器电路。该晶体管采用2引脚法兰和柱状封装。
商品特性
- 最高3 GHz工作频率
- 典型输出功率100 W
- 在2.0 GHz时小信号增益为17.5 dB
- 适用于0.5 - 2.5 GHz的应用电路
- 在饱和功率(PSAT)下效率达55%
- 50 V工作电压
- 提供适用于ADS和MWO的大信号模型
- 符合RoHS标准
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