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- 焊盘图
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SMP4341TR
SMP4341TR
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- 描述
- 2N4340 和 2N4341 是低泄漏中增益 JFET，适用于中频设计的敏感放大器阶段。栅极泄漏小于1pA，在室温下。专有的 InterFET 工艺提供了极高的辐射耐受性。
- 品牌名称
- InterFET
- 商品型号
- SMP4341TR
- 商品编号
- C20513204
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 2.5V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800Ω | |
| 漏源电流(Idss) | 9mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | N沟道 |
商品概述
-50V InterFET 2N4340 和 2N4341 是极低泄漏的中增益 JFET，适用于中频设计的敏感放大器级。在室温下，栅极泄漏小于 1pA。专有的 InterFET 工艺使其具有极高的抗辐射能力。
商品特性
- InterFET N0016H 几何结构
- 低栅极泄漏：在 40V 时典型值 < 1pA
- 低输入电容 CISS：典型值 3pF
- 典型噪声：3.5 nV/√Hz
- 典型增益：2mS
- 典型截止电压：-2.5V
- 高抗辐射能力
- 符合 RoHS、REACH、CMR 标准
- 提供定制测试和分档选项
- 提供 SMT、TH 和裸片封装选项
- 边缘情况 SPICE 建模：InterFET SPICE
应用领域
- 放大器
- 开关
- 电压调节器
- 振荡器
- 信号混合器
- SMP4117
- TLHO-V88R-930-Q
- ACC01CF24-66S-025-LC
- MT47H64M8CF-25E:G
- FCQ38999/24WJ4ABMIL-STD-461
- ACC03A32-13SZ-003-B30-LC
- 9-1879126-8
- ACC02E16S-4S-003-LC
- RT7310GE
- ACC03A32-6PX-003-B30-LC
- FCQ38999/26FC4SAMIL-STD-461
- FCQ38999/25NJ24PNMIL-STD-461
- FCQ38999/26LF28SEMIL-STD-461
- LW-07-530-W(F)
- FCQ38999/26JB5PEMIL-STD-461
- GTC08-16S-14S-LC
- FCQ38999/24JG11SCMIL-STD-461
- FCQ38999/20GD97SEMIL-STD-461
- GTCL030A32-AFP-LC
- FCQ38999/26FE2AAMIL-STD-461
- FCQ38999/24MJ17PEMIL-STD-461