- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT48H32M16LFBF-6:B TR
512Mb 32Megx16 16Megx32 移动型 SDRAM
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT48H32M16LFBF-6:B TR
- 商品编号
- C20500365
- 商品封装
- 54-VFBGA (6x9)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) | |
| 存储容量 | 512Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 166MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.7V~1.95V | |
| 功能特性 | 自动预充电；自动刷新；自动列地址生成 | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ |
商品特性
- VDD/VDDQ电压范围为1.7 - 1.95V
- 完全同步；所有信号在系统时钟的上升沿进行寄存
- 内部流水线操作；列地址可在每个时钟周期更改
- 四个内部存储体可并发操作
- 可编程突发长度：1、2、4、8和连续
- 自动预充电，包括并发自动预充电
- 自动刷新和自刷新模式
- LVTTL兼容的输入和输出
- 片上温度传感器用于控制自刷新速率
- 部分阵列自刷新（PASR）
- 深度掉电（DPD）
- 可选输出驱动强度（DS）
- 刷新周期为64ms
- MT47H512M8WTR-25E:C TR
- MT47H512M4THN-3:E
- MT40A512M8RH-075E IT:B TR
- MT40A512M8RH-083E AUT:B TR
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- MT53E768M32D4DT-053 AAT:E TR
- AS4C512M8D3-12BANTR
- AS4C512M8D3-12BIN
- MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C
- AS4C512M8D3L-12BCN
- MT53B768M32D4NQ-053 WT:B
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- MT53B768M32D4DT-062 AIT:B
- MT41K512M8RH-125 XIT:E TR
- MT40A512M8RH-083E AIT:B
- MT41K512M8RH-125 AAT:E
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- MT40A512M8RH-075E AUT:B TR
- MT46V64M8CV-5B:J TR
- MT41K512M8RH-125 AAT:E TR
- MT47H512M8WTR-25E:C TR
- W972GG6JB-18
- 86507-000
- FCQ38999/20MD5ANMIL-STD-461
- GTC08-20-16SX-B30-LC
- FCQ38999/24GG41SAMIL-STD-461
- GTC00AF32-13SY-LC
- GTC030AF32-57S-B30-LC
- FCQ38999/24WF28SEMIL-STD-461
- SNFPT036807JD2MS00
- GTC06A20-18SX-023-B30-LC
- FCQ38999/20SB2SEMIL-STD-461
- FCQ38999/24MH6SAMIL-STD-461
- FCQ38999/26MJ43PCMIL-STD-461
- TUHB-V88W-930-Q(F)
- TLHT-88W-930-S
- THEVA253-SMA-V1
- GTC030CFZ24-AJS-025-B30-LC
- 5120787-1
- GTC06A20-24SW-023-LC
- ACC06CF32-13SX-003-B30-LC