AS4C512M8D3-12BCNTR

4Gb DDR3 同步动态随机存取存储器

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品牌名称: micron(镁光)
商品型号: AS4C512M8D3-12BCNTR
商品编号: C20505153
商品封装: 78-FBGA (9x10.5)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	同步动态随机存取内存(SDRAM)
	存储容量	4Gbit
	时钟频率(fc)	800MHz

	属性	参数值
	工作电压	1.425V~1.575V
	功能特性	自动预充电；自动刷新；高速时钟同步
	工作温度	0℃~+95℃

商品概述

4Gb DDR3 DRAM采用双倍数据速率架构以实现高速运行，内部配置为8个存储体。该4Gb芯片组织为64Mbit x 8个I/O x 8个存储体设备。这些同步设备在一般应用中可实现高达1600 Mb/秒/引脚的高速双倍数据速率传输。芯片设计符合所有关键DDR3 DRAM特性，所有控制和地址输入与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK上升和CK#下降）锁存。所有I/O以源同步方式与差分DQS对同步。这些设备使用单一1.5V ± 0.075V电源供电，采用BGA封装。

商品特性

符合JEDEC标准
电源：VDD和VDDQ = +1.5V ± 0.075V
工作温度：商业（扩展）(0 ~ 95°C)；工业(-40 ~ 95°C)
支持JEDEC时钟抖动规范
全同步操作
快速时钟速率：800MHz
差分时钟，CK和CK#
双向差分数据选通 - DQS和DQS#
8个内部存储体用于并发操作
8n位预取架构
内部流水线架构
预充电和主动掉电
可编程模式和扩展模式寄存器
附加延迟（AL）：0、CL - 1、CL - 2
可编程突发长度：4、8
突发类型：顺序/交错
输出驱动器阻抗控制
每64ms有8192个刷新周期
平均刷新周期：7.8μs（-40°C ≤ TC ≤ +85°C）；3.9μs（+85°C < TC ≤ +95°C）
写电平调整
OCD校准
动态ODT（Rtt_Nom和Rtt_WR）
符合RoHS标准
自动刷新和自刷新
78球9×10.5×1.2mm FBGA封装
所有部件均符合ROHS标准

数据手册PDF

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