VS-3C10EV07T-M3/I

基于宽带隙碳化硅的650V肖特基二极管，专为高性能和鲁棒性而设计。它是高速硬开关和宽温度范围内高效运行的最佳选择，也推荐用于所有受硅超快恢复行为影响的应用。

• 爬电距离和电气间隙最小2.8mm
• 超薄外形，典型高度1.3mm
• 采用基于碳化硅宽带隙材料的肖特基技术，属于多数载流子二极管
• 通过薄晶圆技术改善VF和效率
• 正向VF具有正温度系数，便于并联
• 几乎无反向恢复拖尾，无开关损耗
• 温度无关的开关行为
• 最高工作结温175°C
• 采用MPS结构，对正向浪涌电流事件具有高鲁棒性
• 符合JESD 201 2级晶须测试
• 符合J-STD-020标准，MSL等级1，LF最高峰值温度260°C

• AC/DC功率因数校正
• DC/DC超高频输出整流