VS-3C08EV07T-M3/I

基于宽禁带碳化硅材料的650V肖特基二极管，专为高性能和坚固性而设计。它是高速硬开关和宽温度范围内高效运行的最佳选择，也推荐用于所有受硅超快恢复特性影响的应用。

• 最小爬电距离和电气间隙为2.8毫米
• 极低剖面，典型高度为1.3毫米
• 采用基于宽禁带碳化硅材料的肖特基技术，属于多数载流子二极管
• 通过薄晶圆技术改善VF和效率
• 正向温度系数VF，便于并联
• 几乎没有恢复拖尾，无开关损耗
• 温度无关的开关行为
• 最高工作结温为175°C
• 采用MPS结构，对正向浪涌电流事件具有高坚固性
• 符合JESD 201 2级晶须测试
• 符合MSL 1级，根据J-STD-020标准，液相线最高峰值温度为260°C
• 材料分类：有关合规性定义，请参见网站

• AC/DC功率因数校正
• DC/DC超高频率输出整流