IS61NLF25636A-7.5TQI-TR
9Mb 无等待状态总线 SRAM
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- 品牌名称
- ISSI(北京矽成)
- 商品型号
- IS61NLF25636A-7.5TQI-TR
- 商品编号
- C20479229
- 商品封装
- 100-TQFP (14x20)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 9Mbit | |
| 工作电压 | 3.135V~3.465V | |
| 读写时间 | 7.5ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 280mA | |
| 待机电流 | 80mA | |
| 功能特性 | 边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
该产品系列为高速、低功耗同步静态随机存取存储器,旨在为网络和通信应用提供可突发、高性能、无等待状态的器件。其组织结构为256K字×36位和512K字×18位,采用先进CMOS技术制造。 该器件集成了无等待状态特性,当总线在读写操作间切换时,可消除等待周期。该器件将2位突发计数器、高速静态随机存取存储器核心和高驱动能力输出集成在单片电路中。 所有同步输入通过寄存器传递,并由一个上升沿触发的单一时钟输入控制。当时钟使能CKE为高电平时,可以暂停操作并忽略所有同步输入。在此状态下,内部器件将保持其先前值。 所有读、写和取消选择周期均由ADV输入启动。当ADV为高电平时,内部突发计数器递增。当ADV为低电平时,可以加载新的外部地址。 写周期在内部自定时,由时钟输入的上升沿和WE为低电平时启动。独立的字节使能允许写入单个字节。 突发模式引脚定义突发序列的顺序。当接高电平时,选择交错突发序列。当接低电平时,选择线性突发序列。
商品特性
- 总线利用率达100%
- 读写操作间无等待周期
- 内部自定时写周期
- 独立的字节写入控制
- 单一的读写控制引脚
- 时钟控制、寄存的地址、数据和控制信号
- 使用模式输入控制交错或线性突发序列
- 三个芯片使能引脚,便于深度扩展和地址流水线操作
- 具有掉电模式
- 共用数据输入和数据输出
- 具有CKE引脚以启用时钟和暂停操作
- 提供JEDEC标准的100引脚薄型四方扁平封装、119球塑料球栅阵列封装和165球塑料球栅阵列封装
- 电源:NVF:VDD 2.5V(±5%),VDDQ 2.5V(±5%);NLF:VDD 3.3V(±5%),VDDQ 3.3V/2.5V(±5%)
- 塑料球栅阵列封装支持JTAG边界扫描
- 提供工业级温度范围
- 提供无铅版本
应用领域
- 网络设备
- 通信设备
- 数据存储系统
- 高性能计算模块
- 需要高带宽和低延迟的嵌入式系统
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- FCQ38999/24LC4BAMIL-STD-461
- ACC08R32-13RZ-003-LC

