IS61NLP25636A-200TQI-TR
9Mb 流水线无等待状态总线 SRAM
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- 品牌名称
- ISSI(北京矽成)
- 商品型号
- IS61NLP25636A-200TQI-TR
- 商品编号
- C20480628
- 商品封装
- 100-TQFP (14x20)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 9Mbit | |
| 工作电压 | 3.135V~3.465V | |
| 读写时间 | 4ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 280mA | |
| 待机电流 | 80mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能;边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
9兆'NLP/NVP'产品系列具有高速、低功耗同步静态RAM,旨在为网络和通信应用提供可突发、高性能、'无等待'状态的设备。它们组织为256K字×36位和512K字×18位,采用先进CMOS技术制造。该器件集成了'无等待'状态特性,当总线在读取和写入之间切换时,等待周期被消除。它集成了2位突发计数器、高速SRAM核心和高驱动能力输出于单一单片电路中。所有同步输入通过寄存器传递,由上升沿触发的单一时钟输入控制。当时钟使能CKE为高电平时,操作可暂停,所有同步输入被忽略。在此状态下,内部器件将保持其先前值。所有读取、写入和取消选择周期由ADV输入启动。当ADV为高电平时,内部突发计数器递增。当ADV为低电平时,可加载新的外部地址。写入周期内部自定时,由时钟输入的上升沿和WE为低电平时启动。独立的字节使能允许写入单个字节。突发模式引脚(MODE)定义突发序列的顺序。当接高电平时,选择交错突发序列;当接低电平时,选择线性突发序列。
商品特性
- 总线利用率达100%
- 读取与写入之间无等待周期
- 内部自定时写入周期
- 独立的字节写入控制
- 单R/W(读取/写入)控制引脚
- 时钟控制、寄存器化的地址、数据和控制
- 使用MODE输入控制交错或线性突发序列
- 三个芯片使能,用于简单深度扩展和地址流水线
- 掉电模式
- 共用数据输入和输出
- CKE引脚用于使能时钟和暂停操作
- JEDEC 100引脚TQFP、165球PBGA和119球PBGA封装
- 电源:NVP:VDD 2.5V(±5%),VDDQ 2.5V(±5%);NLP:VDD 3.3V(±5%),VDDQ 3.3V/2.5V(±5%)
- PBGA封装支持JTAG边界扫描
- 提供工业温度范围
- 提供无铅版本
应用领域
- 网络
- 通信
- ACC02A36-12S-003-LC
- FCQ38999/20SJ43PCMIL-STD-461
- FCQ38999/25NG79PDMIL-STD-461
- FCQ38999/26ZH55SCMIL-STD-461
- FCQ38999/24JE6PDMIL-STD-461
- FCQ38999/24FB99SCMIL-STD-461
- FCQ38999/24LJ35SAMIL-STD-461
- FCQ38999/24KD19PNMIL-STD-461
- 6355-0003-11
- FCQ38999/20MH35SBMIL-STD-461
- GTC00CFZ28-19PY-LC
- FCQ38999/20ZH53PBMIL-STD-461
- FCQ38999/26JA98PDMIL-STD-461
- FCQ38999/26WE8SAMIL-STD-461
- GTC030-24-AJSW-023-B30-LC
- ACC05E24-7PW-025-LC
- FCQ38999/20MB35PCMIL-STD-461
- G8P-1A4P DC24
- FCQ38999/26FF35SDMIL-STD-461
- FCQ38999/26LE2AEMIL-STD-461
- FCQ38999/26GB35SNMIL-STD-461

