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IS61NLP25636A-200TQI-TR引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IS61NLP25636A-200TQI-TR

9Mb 流水线无等待状态总线 SRAM

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私有库下单最高享92折
品牌名称
ISSI(北京矽成)
商品型号
IS61NLP25636A-200TQI-TR
商品编号
C20480628
商品封装
100-TQFP (14x20)​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量9Mbit
工作电压3.135V~3.465V
读写时间4ns
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流280mA
待机电流80mA
功能特性自动掉电功能;边界扫描(JTAG)功能

商品概述

9兆'NLP/NVP'产品系列具有高速、低功耗同步静态RAM,旨在为网络和通信应用提供可突发、高性能、'无等待'状态的设备。它们组织为256K字×36位和512K字×18位,采用先进CMOS技术制造。该器件集成了'无等待'状态特性,当总线在读取和写入之间切换时,等待周期被消除。它集成了2位突发计数器、高速SRAM核心和高驱动能力输出于单一单片电路中。所有同步输入通过寄存器传递,由上升沿触发的单一时钟输入控制。当时钟使能CKE为高电平时,操作可暂停,所有同步输入被忽略。在此状态下,内部器件将保持其先前值。所有读取、写入和取消选择周期由ADV输入启动。当ADV为高电平时,内部突发计数器递增。当ADV为低电平时,可加载新的外部地址。写入周期内部自定时,由时钟输入的上升沿和WE为低电平时启动。独立的字节使能允许写入单个字节。突发模式引脚(MODE)定义突发序列的顺序。当接高电平时,选择交错突发序列;当接低电平时,选择线性突发序列。

商品特性

  • 总线利用率达100%
  • 读取与写入之间无等待周期
  • 内部自定时写入周期
  • 独立的字节写入控制
  • 单R/W(读取/写入)控制引脚
  • 时钟控制、寄存器化的地址、数据和控制
  • 使用MODE输入控制交错或线性突发序列
  • 三个芯片使能,用于简单深度扩展和地址流水线
  • 掉电模式
  • 共用数据输入和输出
  • CKE引脚用于使能时钟和暂停操作
  • JEDEC 100引脚TQFP、165球PBGA和119球PBGA封装
  • 电源:NVP:VDD 2.5V(±5%),VDDQ 2.5V(±5%);NLP:VDD 3.3V(±5%),VDDQ 3.3V/2.5V(±5%)
  • PBGA封装支持JTAG边界扫描
  • 提供工业温度范围
  • 提供无铅版本

应用领域

  • 网络
  • 通信

数据手册PDF