MT46V64M8BN-6 L:F

512Mb X4、X8、X16 DDR SDRAM

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品牌名称: micron(镁光)
商品型号: MT46V64M8BN-6 L:F
商品编号: C20469789
商品封装: 60-FBGA (10x12.5)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

DDR SDRAM采用双数据速率架构实现高速运行。双数据速率架构本质上是一种2n预取架构，其接口设计为在I/O引脚每个时钟周期传输两个数据字。DDR SDRAM的单次读写访问实际上包括在内部DRAM核心进行一次2n位宽、一个时钟周期的数据传输，以及在I/O引脚进行两次相应的n位宽、半个时钟周期的数据传输。双向数据选通信号（DQS）与数据一起外部传输，用于接收器的数据捕获。DQS在读取时由DDR SDRAM发送，在写入时由内存控制器发送。读取时DQS与数据边缘对齐，写入时与数据中心对齐。x16产品有两个数据选通信号，一个用于低字节，一个用于高字节。DDR SDRAM由差分时钟（CK和CK#）驱动；CK上升且CK#下降的交叉点称为CK的正边缘。命令（地址和控制信号）在CK的每个正边缘进行寄存。输入数据在DQS的两个边缘进行寄存，输出数据参考DQS的两个边缘以及CK的两个边缘。对DDR SDRAM的读写访问是突发式的；访问从选定位置开始，并按照编程顺序持续访问编程数量的位置。访问从激活命令的寄存开始，随后可能是读取或写入命令。与激活命令同时寄存的地址位用于选择要访问的存储体和行。与读取或写入命令同时寄存的地址位用于选择存储体和突发访问的起始列位置。DDR SDRAM提供可编程的读取或写入突发长度，为2、4或8个位置。可以启用自动预充电功能，以提供在突发访问结束时启动的自定时行预充电。

商品特性

工作电压：VDD等于正2.5伏加减0.2伏，VDDQ等于正2.5伏加减0.2伏
工作电压：VDD等于正2.6伏加减0.1伏，VDDQ等于正2.6伏加减0.1伏
双向数据选通，与数据同步传输或接收，实现源同步数据捕获
内部采用流水线式双倍数据率架构，每个时钟周期可进行两次数据访问
差分时钟输入
命令在每个时钟上升沿被锁存
数据选通在读取操作时与数据边沿对齐，在写入操作时与数据中心对齐
采用延迟锁相环来对齐数据与数据选通信号相对于时钟的跳变
四个内部存储体支持并发操作
提供数据掩码功能用于屏蔽写入数据
可编程突发长度：2、4或8
支持自动刷新
支持较长的薄型小尺寸封装以提高可靠性
输入输出接口兼容2.5伏标准
支持并发自动预充电选项
支持行地址选通锁定

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM
	存储器构架(格式)	DDR SDRAM
	时钟频率(fc)	167MHz
	存储容量	512Mbit
	工作电压	2.3V~2.7V

	属性	参数值
	工作电流	130mA
	刷新电流	3mA
	工作温度	0℃~+70℃
	功能特性	自动预充电功能；数据掩码功能