温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

PSMN012-100YSFX

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

品牌名称: Nexperia(安世)
商品型号: PSMN012-100YSFX
商品编号: C20443035
商品封装: LFPAK56, Power-SO8
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

第五代HEXFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 SO - 8封装通过定制引线框架进行了改进，具有更好的热性能和多芯片封装能力，使其非常适合各种电源应用。通过这些改进，在应用中使用多个器件时可大幅减少电路板空间。该封装适用于气相、红外或波峰焊接技术。

商品特性

低反向恢复电荷(Qrr),效率更高,尖峰更低
低栅极电荷(QG)×导通电阻(RDSon)品质因数(FOM),适用于高效开关应用
雪崩能量额定值(EAS)高
雪崩额定且经过100%测试
采用无卤、符合RoHS标准的LFPAK56封装
LFPAK56封装可进行波峰焊

应用领域

交直流(AC-DC)和直流-直流(DC-DC)同步整流器
48 V直流-直流(DC-DC)初级侧开关
无刷直流(BLDC)电机控制
USB功率传输(USB-PD)和移动快速充电适配器
反激式和谐振拓扑结构

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	65A
	导通电阻(RDS(on))	11.8mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	130W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	44nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.849nF
	反向传输电容(Crss)	53pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	837pF