MT42L16M32D1HE-18 IT:E

134b:x32嵌入式LPDDR2 SDRAM

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商品参数

超低电压核心与输入/输出电源：VDD2 = 1.14 - 1.30V，VDDCA/VDDQ = 1.14 - 1.30V，VDD1 = 1.70 - 1.95V
时钟频率范围：533 - 10MHz（数据传输速率范围：1066 - 20Mb/s/pin）
四位预取双倍数据速率架构
八个内部存储体支持并发操作
多路复用、双倍数据速率的命令/地址输入；命令在每个时钟边沿输入
每个数据字节对应一个双向/差分数据选通（DQS/DQS#）
可编程读取与写入延迟
可编程突发长度：4、8或16
支持按存储体刷新以实现并发操作
集成温度传感器以控制自刷新速率（不支持在高于105°C时进行自刷新）
部分阵列自刷新
深度掉电模式
可选输出驱动强度
时钟停止功能
符合RoHS标准的封装