MT42L64M32D2HE-18 IT:D

汽车用LPDDR2 SDRAM

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商品参数

超低电压核心和I/O电源供应：VDD2 = 1.14 - 1.30 V，VDDCA/ VDDQ = 1.14 - 1.30 V，VDD1 = 1.70 - 1.95 V
时钟频率范围：533-10 MHz（数据速率范围：1066-20 Mb/s/引脚）
四位预取DDR架构
八个内部存储体用于并发操作
多路复用、双数据速率命令/地址输入；命令在每个CK边沿输入
每字节数据的双向/差分数据选通（DQS/DQS#）
可编程读取和写入延迟（RL/WL）
可编程突发长度：4、8或16
每存储体刷新用于并发操作
片上温度传感器以控制自刷新速率（不支持在大于105°C时自刷新）
部分阵列自刷新（PASR）
深度掉电模式（DPD）
可选输出驱动强度（DS）
时钟停止能力
符合RoHS标准，“绿色”封装
AEC-Q100