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IRFS630B-VB
1个N沟道 耐压:200V 电流:6.5A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型MOSFET，具有可靠的性能和高质量的制造，采用Trench工艺制造，适用于电源模块、电动车充电器、工业自动化和UPS系统等领域的各种模块。TO220F；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=265mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFS630B-VB
- 商品编号
- C20417549
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 265mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC | |
| 输入电容(Ciss) | 360pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
商品特性
- 低品质因数 (FOM) Ron × Qg
- 低输入电容 (Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷 (Qg)
- 雪崩能量额定 (UIS)
- 符合 RoHS 标准