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SI7172DP-T1-GE3-VB
1个N沟道 耐压:200V 电流:30A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款高性能的单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于电源模块、LED照明模块和汽车电子模块等领域。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,200V；30A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI7172DP-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C20417555
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 66.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.38nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 142pF |
商品特性
- 雷电技术优化了 RDS(on)、Qg、Qsw 和 Qoss 的平衡
- 100%进行 Rg 和 UIS 测试
应用领域
-固定电信-DC/DC 转换器-初级和次级侧开关-同步整流-LED 照明-电源-D 类放大器