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IRFU5410PBF-VB
1个P沟道 耐压:100V 电流:16A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单PMOSFET器件，采用Trench技术，适用于多种领域和模块。TO251；P—Channel沟道,-100V；-16A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFU5410PBF-VB
- 商品编号
- C20417438
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.7nC@10V | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
70N06是一款超高密度N沟道MOSFET，为同步降压转换器应用提供了出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷特性。
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义,无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 功率开关
- DC/DC转换器
- P沟道MOSFET