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AO4440-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:7.6A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，具有较高的工作稳定性和可靠性，适用于需要中小功率场效应管的应用场景，例如电源模块、驱动模块、智能家居控制模块和电动工具模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,60V；7.6A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AO4440-VB
- 商品编号
- C20417440
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 类型 | N沟道 |