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CMP70N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:70A
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- 描述
- 70N06是一款超高密度N沟道MOSFET，可为同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷性能。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP70N06
- 商品编号
- C20416964
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 145W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.68nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 720pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用Cmos专有的平面条形DMOS技术制造。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低。 这些器件非常适合用于高效开关式DC/DC转换器、开关电源、不间断电源的DC-AC转换器以及电机控制。
商品特性
- 原创全新设计
- 经过100%雪崩测试
- 极低的固有电容
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
- 70A,60V,当VGS = 10V时,RDS(on) = 0.014Ω
应用领域
- DC-DC和DC-AC转换器
- 电机控制、音频放大器
- 大电流、高速开关
- 螺线管和继电器驱动器