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CMB32N20P
1个N沟道 耐压:200V 电流:32A
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- 描述
- N-Channel增强模式功率场效应晶体管采用Cmos专有的平面条纹DMOS技术生产。这种先进技术经过特别定制，可最大限度地降低导通电阻。这些器件适用于高效开关DC/DC转换器、开关电源、不间断电源的DC-AC转换器和电机控制。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB32N20P
- 商品编号
- C20416968
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 82mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 83nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
商品概述
NP60N06PDK是一款专为大电流开关应用设计的N沟道MOS场效应晶体管。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-不间断电源(UPS)-逆变器-照明