R5F140GKAFB#30
R5F140GKAFB#30
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- R5F140GKAFB#30
- 商品编号
- C20351451
- 商品封装
- LFQFP-48(7x7)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 单片机(MCU/MPU/SOC) | |
| CPU内核 | RL78 | |
| CPU最大主频 | 32MHz | |
| CPU位数 | 16 Bit | |
| 程序存储容量 | 384KB | |
| 程序存储器类型 | FLASH |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| RAM容量 | 24KB | |
| EEPROM容量 | 8KB | |
| I/O数量 | 34 | |
| 振荡器类型 | 内置 | |
| 工作电压 | 1.6V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品特性
-
超低功耗技术
- VDD = 单电源电压1.6至5.5 V
- HALT模式
- STOP模式
- SNOOZE模式
-
RL78 CPU核心
- CISC架构,3级流水线
- 最短指令执行时间:可从高速(0.03125 μs:32 MHz运行,使用高速片上振荡器)变更为超低速(30.5 μs:32.768 kHz运行,使用子系统时钟)
- 地址空间:1 MB
- 通用寄存器:(8位寄存器 x 8) x 4组
- 片上RAM:24或32 KB
-
代码闪存
- 代码闪存:384或512 KB
- 块大小:1 KB
- 禁止块擦除和重写(安全功能)
- 片上调试功能
- 自编程(带启动交换功能/闪存屏蔽窗口功能)
-
数据闪存
- 数据闪存:8 KB
- 背景操作(BGO):在重写数据闪存的同时可以从程序存储器执行指令。
- 重写次数:1,000,000次(典型值)
- 重写电压:VDD = 1.8至5.5 V
-
高速片上振荡器
- 可选频率:32 MHz、24 MHz、16 MHz、12 MHz、8 MHz、6 MHz、4 MHz、3 MHz、2 MHz 和 1 MHz
- 高精度:±1.0%(VDD = 1.6至5.5 V,TA = -40至+85℃)
-
工作环境温度
- TA = -40至+85℃(A:消费类应用)
- TA = -40至+105℃(G:工业应用)
-
电源管理和复位功能
- 片上上电复位(POR)电路
- 片上电压检测器(LVD)(从14个级别中选择中断和复位)
-
DMA(直接内存访问)控制器
- 2/4通道
- 在8/16位SFR与内部RAM之间传输期间的时钟数:2个时钟
-
乘法器和除法器/乘累加器
- 16位 x 16位 = 32位(无符号或有符号)
- 32位 ÷ 32位 = 32位(无符号)
- 16位 x 16位 + 32位 = 32位(无符号或有符号)
-
串行接口
- CSI:4至8通道
- UART/UART(支持LIN总线):3或4通道
- I2C/简化I2C通信:5至10通道
-
定时器
- 16位定时器:8或12通道
- 12位间隔定时器:1通道
- 实时时钟:1通道(99年日历,闹钟功能,时钟校正功能)
- 看门狗定时器:1通道(可使用专用低速片上振荡器)
-
A/D转换器
- 8/10位分辨率A/D转换器(VDD = 1.6至5.5 V)
- 模拟输入:10至20通道
- 内部参考电压(1.45 V)和温度传感器
-
I/O端口
- I/O端口:40至92(N沟道开漏I/O [耐压6 V]:4,N沟道开漏I/O [VDD耐压/EVDD耐压]:10至24)
- 可设置为N沟道开漏、TTL输入缓冲器和片上上拉电阻
- 不同电平接口:可以连接到1.8/2.5/3 V设备
- 片上按键中断功能
- 片上时钟输出/蜂鸣器输出控制器
-
其他
- 片上BCD(二进制编码十进制)校正电路
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