NP60N06PDK-E1-AY
NP60N06PDK-E1-AY
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP60N06PDK-E1-AY
- 商品编号
- C20350896
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.859克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 105W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品特性
- 极低的导通电阻
-
- RDS(on)1最大值为7.9 mΩ。(VGS = 10 V,ID = 30 A)
- 低输入电容Ciss:典型值Ciss = 2400 pF。(VDS = 25 V)
- 专为汽车应用设计,并通过AEC - Q101认证
应用领域
- 汽车领域