R1RW0416DSB-2PI#S1

4M高速SRAM

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: R1RW0416DSB-2PI#S1
商品编号: C20350966
商品封装: TSOPII-44
包装方式: 编带
商品毛重: 0.828克(g)

商品参数

商品概述

R1RW0416DI是一款4兆位高速静态随机存取存储器，组织形式为256千字×16位。它采用CMOS工艺（6晶体管存储单元）和高速电路设计技术，实现了高速访问时间。它非常适合需要高速、高密度内存和宽位宽配置的应用，如系统中的缓存和缓冲内存。R1RW0416DI采用400密耳44引脚SOJ和400密耳44引脚塑料TSOPII封装，适用于高密度表面贴装。

商品特性

单3.3V电源：3.3V ± 0.3V
访问时间：10纳秒/12纳秒（最大）
完全静态存储器，无需时钟或定时选通
访问时间和周期时间相等
直接与TTL兼容，所有输入和输出
工作电流：145毫安/130毫安（最大）
TTL待机电流：40毫安（最大）
CMOS待机电流：5毫安（最大）
中心VCC和VSS类型引脚输出
温度范围：-40至+85°C

应用领域

系统缓存
系统缓冲内存

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	4Mbit
	工作电压	3V~3.6V
	读写时间	12ns

	属性	参数值
	工作温度	-40℃~+85℃
	工作电流	130mA
	待机电流	5mA
	功能特性	-