- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MASW-007071-0001TR
GaAsSPDT吸收型开关，单双电源，DC-4GHz
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- 描述
- MASW-007071是一款单刀双掷(SPDT)吸收型pHEMT开关，内置TTL驱动器。该器件采用PQFN塑料表面贴装封装。该开关提供从DC到4GHz的宽带性能和可重复性，同时保持低直流功耗。
- 品牌名称
- MACOM
- 商品型号
- MASW-007071-0001TR
- 商品编号
- C20344449
- 商品封装
- PQFN-32(4x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 电路结构 | 单刀双掷 | |
| 频率 | 0MHz~4GHz | |
| 隔离度 | 30dB | |
| 插入损耗 | 1.8dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| P1dB | 29dBm | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | - |
商品概述
MASW-007071是一款集成了TTL驱动器的单刀双掷吸收式pHEMT开关，采用PQFN塑料表面贴装封装。该开关在DC至4 GHz范围内提供卓越的宽带性能和可重复性，同时保持较低的直流功耗。
商品特性
- 在单电源或双电源下工作频率范围为DC至4 GHz
- 采用ASIC TTL/CMOS驱动器
- 直流功耗低
- 标称阻抗为50 Ω
- 提供测试板
- 提供卷带包装
- 采用无铅4×6 mm PQFN封装
- 符合RoHS*标准的SW90-0002版本
应用领域
- 无线基础设施
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