商品参数
参数完善中
商品概述
MAVR - 000079 - 83系列硅超突变结调谐变容二极管采用离子注入和先进的外延生长技术生产。这些二极管具有热氧化钝化层，特点是电容比和品质因数非常高。它们适用于从亚高频到超高频的频率范围。标准电容公差为±10%，也可提供更严格的公差。还可提供在一个或多个偏置电压下的电容匹配。这些二极管提供标准的锡/铅镀层以及100%哑光锡镀层。
商品特性
- 低成本
- 1至8伏电压下具有非常高的电容比
- 表面贴装封装
- 高品质因数
- 适用于电池应用
- 采用统计过程控制（SPC）监控的离子注入技术，具有出色的电容 - 电压重复性
- 可提供卷带包装
- 符合无铅RoHS标准
应用领域
- 宽带压控振荡器
- 宽带压控滤波器
- 电池供电系统
- 控制电压有限的系统
- 从约100 KHz到超高频频段的VCO和VTF