EM004LXQBDH13IS1T
扩展串行外设接口工业STT-MRAM持久内存
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- 品牌名称
- Everspin
- 商品型号
- EM004LXQBDH13IS1T
- 商品编号
- C20342493
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.683克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 随机存取存储器(RAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 写使能锁存功能；中断状态指示功能；块保护功能；专用OTP区域功能；软件写保护功能；硬件写保护功能；写入保护功能 |
商品特性
- 支持扩展SPI总线接口
- 支持八进制、四进制、双进制和单进制SPI协议
- 八进制SPI的单双传输速率（STR/DTR）最高可达200MHz
- SPI、DSPI、QSPI最高可达133MHz
- 数据耐久性：在产品使用寿命内支持无限次读写和擦除操作
- 数据保留：在不同温度下至少保留10年
- 符合JEDEC标准：JESD251、JESD251 - 1
- 作为持久内存，无需擦除即可进行字节级读写
- 数据完整性：无需外部ECC
- 低功耗模式：
- 待机电流 < 350μA
- 深度掉电电流50μA
- SPI兼容性：与NVSRAM、FRAM、NOR、Toggle MRAM兼容
- SPI、xSPI命令用于模拟NOR兼容的就地执行（XIP）
- 支持易失性和非易失性配置设置
- 非易失性设置不具备回流保护
- 专用256字节OTP区域，位于主内存之外
- 可读且用户可锁定
- 可通过WRITE OTP命令永久锁定
- 不具备回流保护
- 擦除能力：
- 芯片/整体擦除和扇区擦除
- 子扇区擦除粒度为4KB、32KB
- 电压：1.65 - 2.0V（1.8V）
- 密度：EM004LXB 4Mb，EM008LXB 8Mb，EM016LXB 16Mb
- 在200MHz、DTR下，使用OSPI进行读写时，持续吞吐量可达400MBps
- 启动模式配置：
- 支持x1、x2、x4、x8启动
- 具备软件复位和硬件复位引脚
- 支持3字节和4字节地址模式
- 支持顺序（突发）读写
- 电子签名：
- JEDEC标准3字节签名
- JEDEC标准、符合RoHS的封装：
- 24球BGA，6mm×8mm（5×5阵列）
- 8引脚DFN，5mm×6mm
- 工作温度范围：
- 商业级：0°C ~ +70°C
- 工业级：-40°C ~ +85°C
- 安全和写保护：
- 16个可配置的硬件写保护区域，外加顶部/底部选择
- 上电期间的编程/擦除保护，通过CRC命令检测用户数据的意外更改