EMD3D256M16G2-150CBS1R

EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3 自旋转移矩磁随机存储器（STT - MRAM）是一种非易失性存储器，它能在 DDR3 速度下提供非易失性和高耐久性。该器件能够以高达 1333MT/Sec/Pin 的速率进行 DDR3 操作。它设计为符合所有 DDR3 DRAM 特性，包括片上终端（ODT）和内部 ZQ 校准，同时具有数据持久性和极高的写循环耐久性优势。采用自旋扭矩 MRAM 技术，无需进行单元刷新，这大大简化了系统设计并减少了开销。所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步，输入锁存发生在时钟交叉点。I/O 与一对双向选通信号（DQS、DQS（上划线））同步。该器件采用 RAS（上划线）/CAS（上划线）复用方案，工作电压为 1.5V。

• 256Mb ST - DDR3 自旋转移矩磁随机存储器
• 非易失性 256Mb（32Mb x 8，16Mb x 16）DDR3
• 支持标准 DDR3 SDRAM 特性
• VDD = 1.5V ± 0.075V
• 最高 667MHz fCK（1333MT/sec/pin）
• 页面大小为 512 位（x8）或 1024 位（x16）
• 片上终端
• 片上 DLL 使 DQ、DQS、DQS（上划线）转换与 CK 转换对齐
• 所有地址和控制输入在时钟上升沿锁存
• 突发长度为 8，可编程突发截断长度为 4
• 标准 10x13mm 78 球（x8）或 96 球（x16）BGA 封装