商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 26.5mΩ@10V,5.7A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 630pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5.7A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：26.5 毫欧 @ 5.7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：13nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1100pF @ 15V
功率 - 最大值：1.4W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3L
FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5.7A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：26.5 毫欧 @ 5.7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：13nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1100pF @ 15V
功率 - 最大值：1.4W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3L
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