ASD2-EVAL-001

ASD2-EVAL-001评估板集成了微芯科技的碳化硅（SiC）数字栅极驱动器IC（ASD2），能够更好地控制和保护基于SiC MOSFET的电源系统。ASD2 IC可驱动采用分立TO - 247封装的微芯科技SiC MOSFET，包括3引脚和4引脚版本。该评估板具有优化的布局，可将换向回路电感降至最低，并配备了基于罗氏线圈和分流器的电流测量选项。

该评估板旨在在设计电源转换器应用的初始阶段为微芯科技的客户提供支持，并利用ASD2数字栅极驱动器对高压器件（MOSFET）进行特性分析。它是ASD2数字栅极驱动器和SiC分立器件的高性价比开发平台。

• 配备具有可配置增强开关、DSAT保护和电源保护功能的微芯科技ASD2 IC。
• 为高端和低端次级部分提供隔离电源。
• 提供隔离器，用于隔离从初级侧传输到次级侧的栅极信号，最小共模瞬态抗扰度为100 kV/μs。
• 板载连续脉冲串发生器电路，可改变波形的脉冲宽度/占空比。
• 板载电路可产生用于双脉冲测试的两个脉冲，可修改两个脉冲的脉冲宽度和它们之间的延迟时间。
• 可通过子适配器接口板（AS - 56300 - SUB）在连接器J2处连接dsPIC适配器板。
• 可选择信号源——双脉冲测试（DPT）部分或连续脉冲发生器。
• LED指示灯可提供各种故障和电源开启状态指示。
• 可连接外部NTC并对ASD2的温度相关特性进行分析。
• 功率器件（SiC MOSFET）安装在散热器上。
• 可使用罗氏线圈测量高端和低端器件的电流。
• 可通过BNC连接器使用分流电阻测量电流。
• 可连接负电压母线端子（–VBUS）。
• 配备高压大容量电容器（66 μF）。
• 可连接正高压母线端子（+VBUS），相对于负母线端子（–VBUS）可承受高达1200V的电压。
• 可监测高压。
• 为功率器件（SiC MOSFET）配备散热器。
• 可选择来自dsPIC适配器的PWM信号或板载生成的PWM信号。
• 为主侧控制器提供编程接口。
• 设有用于监测各种信号（监测连接器J2信号）的测试点。
• 可连接外部按钮以生成双脉冲信号。