- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 50mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 15V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 125 | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 180mV | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 4.5V |
商品概述
本规范涵盖了PNP硅高速逻辑开关晶体管的性能要求。为每种器件类型提供了四种产品保证等级，为每种未封装器件类型提供了两种产品保证等级。RHA等级标识“M”、“D”、“P”、“L”、“R”、“F”、“G”和“H”会附加到器件前缀以识别通过RHA要求的器件。除非另有规定，环境温度TA = +25°C。在TA > 25°C时，功率按2.05 mW/°C线性降额；在TC > 25°C时，功率按4.0 mW/°C线性降额。