S29VS256RABBHI000
256/128兆位，1.8V突发16位数据总线，同时读写，复用MirrorBit闪存
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- S29VS256RABBHI000
- 商品编号
- C20282370
- 商品封装
- FBGA-44(5x7.5)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 硬件写保护；上电复位 |
商品特性
- 读写/编程/擦除采用单一1.8 V电源（1.70 - 1.95 V）
- 65 nm MirrorBit技术
- 地址和数据接口选项：
- 地址和数据复用，以减少I/O数量（ADM）S29VS - R
- 高地址、低地址和数据复用，以最小化I/O数量（AADM）S29XS - R
- 同时读写操作
- 32字写缓冲器
- 存储体架构 - 八存储体
- 存储阵列顶部或底部有四个32 KB扇区，128 KB扇区共255/127个
- 可编程线性（8/16字），具有环绕和连续突发读取模式
- 安全硅扇区区域，工厂和客户各有128字
- 10年数据保留（典型值）
- 循环耐久性：每个扇区100,000次循环（典型值）
- RDY输出指示数据可供系统使用
- 命令集与JEDEC（42.4）标准兼容
- 通过VPP引脚实现硬件扇区保护
- 通过监控RDY进行握手
- 提供的封装：
- 44球FBGA（6.2 mm × 7.7 mm × 1.0 mm）
- 低VCC写禁止
- 写操作状态位指示编程和擦除操作完成
- 编程和擦除操作的暂停和恢复命令
- 异步编程操作，独立于突发控制寄存器设置
- VPP输入引脚可减少工厂编程时间
- 支持通用闪存接口