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G05NP10S
G05NP10S
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- 描述
- 类型：N+P沟道 漏源电压(Vdss)：100V/-100V 连续漏极电流(Id)：5A/-6A 阈值电压(Vgs(th))：3V/-3V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：127mΩ/193mΩ@10V 144mΩ@4.5V 封装：SOP-8 Dual
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G05NP10S
- 商品编号
- C20278485
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 797pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个4000个/圆盘
总价金额：
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