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IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR
IS61WV51216EDBLL 10TLI TR
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- 描述
- IS61WV51216EDALL和IS61/64WV51216EDBLL是高速8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它们采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件
- 品牌名称
- ISSI(北京矽成)
- 商品型号
- IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR
- 商品编号
- C2065273
- 商品封装
- TSOP-44-10.2mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.67克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 工作电压 | 2.4V~3.6V | |
| 读写时间 | 10ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 55mA | |
| 待机电流 | 15mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能；内置ECC功能 |
- IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR
- IS61WV102416FBLL-10BLI-TR
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- IS64WV102416BLL-10CTLA3-TR
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- IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR
- IS61WV102416FBLL-10BLI-TR
- IS63WV1024BLL-12TLI-TR
- IS62WV1288BLL-55QLI-TR
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- IS43LD32320C-18BLI-TR
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- AS4C256M8D2-25BCNTR
- AS4C128M16D2-25BCNTR
- AS7C3256A-10JINTR
- IS43LD16320A-25BLI-TR
- MT44K16M36RB-107E:B TR
- MT25QU128ABA1EW9-0SIT TR
- MT44K64M18RB-093E:A TR
- AS6C1008-55SINTR
- AS4C4M16SA-6TCNTR
- AS4C1M16S-6TINTR
- IS42S16320F-7BLI-TR
- IS61VPS102436B-250TQLI-TR
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