IS61C5128AS-25QLI-TR
IS61C5128AS 25QLI TR
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- 描述
- 是高速的4,194,304位静态随机存取存储器,组织为524,288字×8位。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,可实现低功耗下最快12 ns的访问时间。当CE为高电平(未选中)时,器件进入待机模式,此时功耗可通过CMOS输入电平降低。通过使用片选和输出使能输入CE和OE,可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能(WE)控制存储器的读写。一个数据字节允许高字节(UB)和低字节(LB)访问。采用JEDEC标准的36引脚SOJ(400密耳)、32引脚TSOP-I、32引脚SOP、44引脚TSOP-II和32引脚TSOP-II封装。
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS61C5128AS-25QLI-TR
- 商品编号
- C2065530
- 商品封装
- SOP-32-11.3mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 存储容量 | 4Mbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | 25ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 25mA | |
| 待机电流 | 800uA |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 32-SOIC(0.455",11.30mm 宽) |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
| 技术 | SRAM - 异步 |
| 存储器格式 | SRAM |
| 供应商器件封装 | 32-SOP |
| 存储容量 | 4Mb(512K x 8) |
| 写周期时间-字,页 | 25ns |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器接口 | 并联 |
| 访问时间 | 25ns |
| 电压-供电 | 4.5V ~ 5.5V |
优惠活动
购买数量
(1000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交1单
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