GAN140-650EBEZ
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 113W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@17.2mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.5nC@6V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET技术
- 超低RSS(on)
- 共漏极配置，设计简单
- 符合RoHS标准且无卤
应用领域
- 电池保护开关-移动设备电池充放电