PMDXB290UNEZ
PMDXB290UNEZ
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMDXB290UNEZ
- 商品编号
- C20235822
- 商品封装
- DFN1010B-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 930mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 320mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 370mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 900pC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 8.2pF |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品已根据相应的AEC标准进行设计和鉴定，适用于汽车关键应用。
商品特性
- 低阈值电压
- 极快速开关
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电(ESD)保护 >2 kV HBM
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路